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BZM55C8V2-TR3

BZM55C8V2-TR3

僅供參考

型號 BZM55C8V2-TR3
PNEDA編號 BZM55C8V2-TR3
描述 DIODE ZENER 500MW MICROMELF
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $14.0925
100 ---------- $13.4320
250 ---------- $12.7714
500 ---------- $12.1108
750 ---------- $11.5603
1,000 ---------- $11.0098
庫存 14,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZM55C8V2-TR3資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZM55C8V2-TR3
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZM55C8V2-TR3, BZM55C8V2-TR3數據表 (總頁數: 7, 大小: 122.53 KB)
PDFBZM55B12-TR數據表 封面
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BZM55C8V2-TR3規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)8.2V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)50 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 6.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱2-SMD, No Lead
供應商設備包裝MicroMELF

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功率-最大

200mW

阻抗(最大值)(閽zt)

83 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 125°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

1005 (2512 Metric)

供應商設備包裝

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

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電壓-齊納(額定)(Vz)

2.2V

公差

±5%

功率-最大

250mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.3 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

17 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±5%

功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 10.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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-55°C ~ 150°C

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