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BZT52B11-G RHG

BZT52B11-G RHG

僅供參考

型號 BZT52B11-G RHG
PNEDA編號 BZT52B11-G-RHG
描述 DIODE ZENER 11V 410MW SOD123
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價
1 ---------- $0.8315
500 ---------- $0.7925
1,000 ---------- $0.7535
2,500 ---------- $0.7146
5,000 ---------- $0.6821
10,000 ---------- $0.6496
庫存 58,756
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52B11-G RHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52B11-G RHG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52B11-G RHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)11V
公差±2%
功率-最大410mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

49 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

±5%

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

150 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 16.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

-

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-

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