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BZT52C30-G RHG

BZT52C30-G RHG

僅供參考

型號 BZT52C30-G RHG
PNEDA編號 BZT52C30-G-RHG
描述 DIODE ZENER 30V 350MW SOD123
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52C30-G RHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52C30-G RHG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52C30-G RHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差±5%
功率-最大350mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 21V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果900mV @ 10mA
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123
供應商設備包裝SOD-123

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30V

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

40 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

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制造商

ON Semiconductor

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

6.8V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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制造商

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系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

5.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

75µA @ 5.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

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