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BZT52C30 RHG

BZT52C30 RHG

僅供參考

型號 BZT52C30 RHG
PNEDA編號 BZT52C30-RHG
描述 DIODE ZENER 30V 500MW SOD123F
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 29,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT52C30 RHG資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT52C30 RHG
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZT52C30 RHG規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)30V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)80 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr45nA @ 21V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 10mA
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝SOD-123F

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公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

170 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 46V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

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功率-最大

350mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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1.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 75V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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