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BZT55B20-GS18

BZT55B20-GS18

僅供參考

型號 BZT55B20-GS18
PNEDA編號 BZT55B20-GS18
描述 DIODE ZENER 20V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 4,644
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55B20-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55B20-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55B20-GS18, BZT55B20-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55B20-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)20V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)55 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 15V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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30V

公差

±5%

功率-最大

50W

阻抗(最大值)(閽zt)

3 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

-

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電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 10V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 76V

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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