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BZT55B51-GS18

BZT55B51-GS18

僅供參考

型號 BZT55B51-GS18
PNEDA編號 BZT55B51-GS18
描述 DIODE ZENER 51V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55B51-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55B51-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55B51-GS18, BZT55B51-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55B51-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)51V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)125 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 39V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

13V

公差

±5%

功率-最大

225mW

阻抗(最大值)(閽zt)

13 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 9.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Military, MIL-PRF-19500/435

電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

±1%

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 9.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-213AA (Glass)

供應商設備包裝

DO-213AA

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±5%

功率-最大

1.5W

阻抗(最大值)(閽zt)

12 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 13.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

18V

公差

±5%

功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

60 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 13V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-79, SOD-523

供應商設備包裝

SSMini2-F5-B

JANTX1N4120UR-1

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

Military, MIL-PRF-19500/435

電壓-齊納(額定)(Vz)

30V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 22.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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