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BZT55C18-GS18

BZT55C18-GS18

僅供參考

型號 BZT55C18-GS18
PNEDA編號 BZT55C18-GS18
描述 DIODE ZENER 18V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.7265
500 ---------- $0.6925
1,000 ---------- $0.6584
2,500 ---------- $0.6244
5,000 ---------- $0.5960
10,000 ---------- $0.5676
庫存 4,060
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55C18-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55C18-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55C18-GS18, BZT55C18-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55C18-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)18V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)50 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 13V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

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公差

±5%

功率-最大

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110 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 35V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

200 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 29.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

13V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 9.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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