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BZT55C3V0-GS18

BZT55C3V0-GS18

僅供參考

型號 BZT55C3V0-GS18
PNEDA編號 BZT55C3V0-GS18
描述 DIODE ZENER 3V 500MW SOD80
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.6551
500 ---------- $0.6244
1,000 ---------- $0.5937
2,500 ---------- $0.5630
5,000 ---------- $0.5374
10,000 ---------- $0.5118
庫存 71,370
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZT55C3V0-GS18資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZT55C3V0-GS18
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZT55C3V0-GS18, BZT55C3V0-GS18數據表 (總頁數: 7, 大小: 130.45 KB)
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BZT55C3V0-GS18規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr4µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-80 Variant
供應商設備包裝SOD-80 QuadroMELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

-

公差

-

功率-最大

-

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

BZT52C7V5-HE3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±5%

功率-最大

410mW

阻抗(最大值)(閽zt)

4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

SOD-123

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

8.2V

公差

±5%

功率-最大

1.25W

阻抗(最大值)(閽zt)

3.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 6.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-213AB

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101

電壓-齊納(額定)(Vz)

24V

公差

±2%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

33 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 18V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-123

供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

12V

公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

9 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 9.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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