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BZV55B13 L1G

BZV55B13 L1G

僅供參考

型號 BZV55B13 L1G
PNEDA編號 BZV55B13-L1G
描述 DIODE ZENER 13V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 6,912
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZV55B13 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZV55B13 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZV55B13 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)13V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)26 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 10V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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電壓-齊納(額定)(Vz)

100V

公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

500 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 76V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

10V

公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 7.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

27V

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 20.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

23 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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