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BZV55B3V9 L1G

BZV55B3V9 L1G

僅供參考

型號 BZV55B3V9 L1G
PNEDA編號 BZV55B3V9-L1G
描述 DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
單價 請求報價
庫存 7,902
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZV55B3V9 L1G資源

品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZV55B3V9 L1G
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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BZV55B3V9 L1G規格

制造商Taiwan Semiconductor Corporation
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)85 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 100mA
工作溫度-65°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
供應商設備包裝Mini MELF

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阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 12V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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功率-最大

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

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安裝類型

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