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BZX55B13-TAP

BZX55B13-TAP

僅供參考

型號 BZX55B13-TAP
PNEDA編號 BZX55B13-TAP
描述 DIODE ZENER 13V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 183,540
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B13-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B13-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B13-TAP, BZX55B13-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B13-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)13V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)26 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 10V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 7.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

55 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 17V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

30 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

2µA @ 3.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

41 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 21V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-323

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