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BZX55B3V9-TAP

BZX55B3V9-TAP

僅供參考

型號 BZX55B3V9-TAP
PNEDA編號 BZX55B3V9-TAP
描述 DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 240,000
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55B3V9-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55B3V9-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55B3V9-TAP, BZX55B3V9-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55B3V9-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±2%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 15.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

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60 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 29.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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