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BZX55C12-TAP

BZX55C12-TAP

僅供參考

型號 BZX55C12-TAP
PNEDA編號 BZX55C12-TAP
描述 DIODE ZENER 12V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $20.1623
100 ---------- $19.2172
250 ---------- $18.2721
500 ---------- $17.3270
750 ---------- $16.5394
1,000 ---------- $15.7518
庫存 593
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55C12-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55C12-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55C12-TAP, BZX55C12-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55C12-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差-
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)20 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr100nA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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電壓-齊納(額定)(Vz)

7.5V

公差

±20%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 5.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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公差

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功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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電壓-齊納(額定)(Vz)

5.6V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5000µA @ 4.28V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

E, Axial

供應商設備包裝

E, Axial

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

±5%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 50mA

工作溫度

200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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10 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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