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BZX55C3V9-TAP

BZX55C3V9-TAP

僅供參考

型號 BZX55C3V9-TAP
PNEDA編號 BZX55C3V9-TAP
描述 DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $10.6360
100 ---------- $10.1375
250 ---------- $9.6389
500 ---------- $9.1403
750 ---------- $8.7249
1,000 ---------- $8.3094
庫存 157,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55C3V9-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55C3V9-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55C3V9-TAP, BZX55C3V9-TAP數據表 (總頁數: 7, 大小: 107.15 KB)
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BZX55C3V9-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)85 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度-65°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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±5%

功率-最大

1.3W

阻抗(最大值)(閽zt)

25 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 27V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±20%

功率-最大

3W

阻抗(最大值)(閽zt)

6 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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系列

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公差

±5.55%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 120V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±5%

功率-最大

250mW

阻抗(最大值)(閽zt)

1.6 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

20V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

15 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 15V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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