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BZX55F3V9-TAP

BZX55F3V9-TAP

僅供參考

型號 BZX55F3V9-TAP
PNEDA編號 BZX55F3V9-TAP
描述 DIODE ZENER 3.9V 500MW DO35
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX55F3V9-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX55F3V9-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX55F3V9-TAP, BZX55F3V9-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 93.28 KB)
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BZX55F3V9-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)3.9V
公差±1%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)85 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr2µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 200mA
工作溫度175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1.5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-齊納(額定)(Vz)

3V

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功率-最大

300mW

阻抗(最大值)(閽zt)

95 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

Automotive, AEC-Q101, BZD27C

電壓-齊納(額定)(Vz)

160V

公差

-

功率-最大

800mW

阻抗(最大值)(閽zt)

350 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 120V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Surface Mount

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5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

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安裝類型

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