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BZX79C3V6_T50R

BZX79C3V6_T50R

僅供參考

型號 BZX79C3V6_T50R
PNEDA編號 BZX79C3V6_T50R
描述 DIODE ZENER 3.6V 500MW DO35
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,904
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX79C3V6_T50R資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX79C3V6_T50R
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
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BZX79C3V6_T50R規格

制造商ON Semiconductor
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)3.6V
公差±5%
功率-最大500mW
阻抗(最大值)(閽zt)90 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr15µA @ 1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.5V @ 100mA
工作溫度-65°C ~ 200°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AH, DO-35, Axial
供應商設備包裝DO-35

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當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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包裝/箱

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公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

2.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

150µA @ 1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

98 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-35

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Microsemi

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電壓-齊納(額定)(Vz)

4.3V

公差

±2%

功率-最大

1W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.65 kOhms

當前-反向泄漏@ Vr

4µA @ 2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.5 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 5.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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