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BZX85B12-TAP

BZX85B12-TAP

僅供參考

型號 BZX85B12-TAP
PNEDA編號 BZX85B12-TAP
描述 DIODE ZENER 12V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $0.5953
500 ---------- $0.5674
1,000 ---------- $0.5395
2,500 ---------- $0.5116
5,000 ---------- $0.4884
10,000 ---------- $0.4651
庫存 377,094
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85B12-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85B12-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85B12-TAP, BZX85B12-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85B12-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)12V
公差±2%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)9 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr500nA @ 9.1V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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45 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 25.1V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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公差

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功率-最大

150mW

阻抗(最大值)(閽zt)

7 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

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阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 9.9V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

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供應商設備包裝

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