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BZX85B8V2-TAP

BZX85B8V2-TAP

僅供參考

型號 BZX85B8V2-TAP
PNEDA編號 BZX85B8V2-TAP
描述 DIODE ZENER 8.2V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價
1 ---------- $1.0554
500 ---------- $1.0059
1,000 ---------- $0.9564
2,500 ---------- $0.9070
5,000 ---------- $0.8657
10,000 ---------- $0.8245
庫存 529,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85B8V2-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85B8V2-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85B8V2-TAP, BZX85B8V2-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85B8V2-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)8.2V
公差±2%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)5 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 6.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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7.5V

公差

-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

50 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 5V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

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包裝/箱

2-SMD, No Lead

供應商設備包裝

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

8 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 5.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

DO-35

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

電壓-齊納(額定)(Vz)

15V

公差

±10%

功率-最大

50W

阻抗(最大值)(閽zt)

1.4 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 11.4V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 10A

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-齊納(額定)(Vz)

190V

公差

±5%

功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

450 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 144V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 200°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

T-18, Axial

供應商設備包裝

Axial

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制造商

Microsemi Corporation

系列

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電壓-齊納(額定)(Vz)

25V

公差

±5%

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10nA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AH, DO-35, Axial

供應商設備包裝

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