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BZX85C9V1-TAP

BZX85C9V1-TAP

僅供參考

型號 BZX85C9V1-TAP
PNEDA編號 BZX85C9V1-TAP
描述 DIODE ZENER 9.1V 1.3W DO41
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 220,734
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

BZX85C9V1-TAP資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號BZX85C9V1-TAP
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單
數據表
BZX85C9V1-TAP, BZX85C9V1-TAP數據表 (總頁數: 6, 大小: 101.97 KB)
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BZX85C9V1-TAP規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101
電壓-齊納(額定)(Vz)9.1V
公差±5%
功率-最大1.3W
阻抗(最大值)(閽zt)5 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr1µA @ 6.8V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
工作溫度-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱DO-204AL, DO-41, Axial
供應商設備包裝DO-41

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當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 12.6V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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工作溫度

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安裝類型

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公差

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功率-最大

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阻抗(最大值)(閽zt)

35 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 19V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

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電壓-齊納(額定)(Vz)

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公差

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功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

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當前-反向泄漏@ Vr

100nA @ 24V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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阻抗(最大值)(閽zt)

250 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 69.2V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 114V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

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