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CAV25512VE-GT3

CAV25512VE-GT3

僅供參考

型號 CAV25512VE-GT3
PNEDA編號 CAV25512VE-GT3
描述 IC EEPROM 512K SPI 10MHZ 8SOIC
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CAV25512VE-GT3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CAV25512VE-GT3
類別半導體內存IC內存
數據表
CAV25512VE-GT3, CAV25512VE-GT3數據表 (總頁數: 15, 大小: 297.44 KB)
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CAV25512VE-GT3規格

制造商ON Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q100
內存類型Non-Volatile
內存格式EEPROM
技術EEPROM
內存大小512Kb (64K x 8)
內存接口SPI
時鐘頻率10MHz
寫周期-字,頁5ms
訪問時間-
電壓-供電2.5V ~ 5.5V
工作溫度-40°C ~ 125°C (TA)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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制造商

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系列

Automotive, AEC-Q100

內存類型

Non-Volatile

內存格式

EEPROM

技術

EEPROM

內存大小

1Kb (128 x 8)

內存接口

SPI

時鐘頻率

2MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

2.5V ~ 5.5V

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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8-TSSOP

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制造商

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系列

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內存類型

Volatile

內存格式

SRAM

技術

SRAM - Synchronous, QDR II

內存大小

36Mb (2M x 18)

內存接口

Parallel

時鐘頻率

250MHz

寫周期-字,頁

-

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電壓-供電

1.7V ~ 1.9V

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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制造商

Micron Technology Inc.

系列

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內存類型

Volatile

內存格式

DRAM

技術

SDRAM - Mobile LPDDR4

內存大小

16Gb (512M x 32)

內存接口

-

時鐘頻率

1866MHz

寫周期-字,頁

-

訪問時間

-

電壓-供電

1.1V

工作溫度

-40°C ~ 105°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

200-WFBGA

供應商設備包裝

200-WFBGA (10x14.5)

AT45DB081E-SHNHC-T

Adesto Technologies

制造商

Adesto Technologies

系列

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內存類型

Non-Volatile

內存格式

FLASH

技術

FLASH

內存大小

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

內存接口

SPI

時鐘頻率

85MHz

寫周期-字,頁

8µs, 4ms

訪問時間

-

電壓-供電

1.7V ~ 3.6V

工作溫度

-40°C ~ 85°C (TC)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

MT29TZZZ5D6DKFRL-093 W.9A6

Micron Technology Inc.

制造商

Micron Technology Inc.

系列

-

內存類型

-

內存格式

-

技術

-

內存大小

-

內存接口

-

時鐘頻率

-

寫周期-字,頁

-

訪問時間

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電壓-供電

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工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

-

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