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CDBDSC3650-G

CDBDSC3650-G

僅供參考

型號 CDBDSC3650-G
PNEDA編號 CDBDSC3650-G
描述 DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 7,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 18 - 十一月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDBDSC3650-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDBDSC3650-G
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CDBDSC3650-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)11A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 3A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 650V
電容@ Vr,F181pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝D-PAK (TO-252)
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

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1.25V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

50ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

600mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 40V

電容@ Vr,F

55pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-204AL, DO-41, Axial

供應商設備包裝

DO-204AL (DO-41)

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

31A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 1200V

電容@ Vr,F

1000pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

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TO-220-2

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

15mA @ 200V

電容@ Vr,F

-

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.8V @ 15A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 1200V

電容@ Vr,F

920pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

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