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CDBGBSC101200-G

CDBGBSC101200-G

僅供參考

型號 CDBGBSC101200-G
PNEDA編號 CDBGBSC101200-G
描述 DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CDBGBSC101200-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CDBGBSC101200-G
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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CDBGBSC101200-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
二極管配置1 Pair Common Cathode
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)18A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.7V @ 5A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr100µA @ 1200V
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10mA @ 1000V

工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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