CDBGBSC201200-G
僅供參考
型號 | CDBGBSC201200-G |
PNEDA編號 | CDBGBSC201200-G |
描述 | DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER |
制造商 | Comchip Technology |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 6,390 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸) |
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CDBGBSC201200-G規格
制造商 | Comchip Technology |
系列 | - |
二極管配置 | 1 Pair Common Cathode |
二極管類型 | Silicon Carbide Schottky |
電壓-直流反向(Vr)(最大值) | 1200V |
電流-平均整流(Io)(每個二極管) | 25.9A (DC) |
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果 | 1.8V @ 10A |
速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
反向恢復時間(trr) | 0ns |
當前-反向泄漏@ Vr | 100µA @ 1200V |
工作溫度-結點 | -55°C ~ 175°C |
安裝類型 | Through Hole |
包裝/箱 | TO-247-3 |
供應商設備包裝 | TO-247 |
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