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CE3512K2

CE3512K2

僅供參考

型號 CE3512K2
PNEDA編號 CE3512K2
描述 RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
制造商 CEL
單價 請求報價
庫存 19,494
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CE3512K2資源

品牌 CEL
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CE3512K2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-RF
數據表
CE3512K2, CE3512K2數據表 (總頁數: 8, 大小: 426.11 KB)
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CE3512K2規格

制造商CEL
系列-
晶體管類型pHEMT FET
頻率12GHz
增益13.7dB
電壓-測試2V
額定電流(安培)15mA
噪聲系數0.5dB
當前-測試10mA
功率-輸出125mW
電壓-額定4V
包裝/箱4-Micro-X
供應商設備包裝4-Micro-X

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系列

-

晶體管類型

pHEMT FET

頻率

2GHz

增益

15dB

電壓-測試

4V

額定電流(安培)

305mA

噪聲系數

0.6dB

當前-測試

60mA

功率-輸出

19dBm

電壓-額定

5.5V

包裝/箱

0505 (1412 Metric)

供應商設備包裝

MiniPak 1412

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

19.2dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

950mA

功率-輸出

27W

電壓-額定

66V

包裝/箱

NI-780S

供應商設備包裝

NI-780S

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

N-Channel

頻率

1.93GHz

增益

17.8dB

電壓-測試

30V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

1.3A

功率-輸出

50W

電壓-額定

65V

包裝/箱

NI-880XS

供應商設備包裝

NI-880XS

制造商

NXP USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS

頻率

880MHz

增益

21.4dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

450mA

功率-輸出

14W

電壓-額定

68V

包裝/箱

TO-272BC

供應商設備包裝

TO-272-2

制造商

Ampleon USA Inc.

系列

-

晶體管類型

LDMOS (Dual), Common Source

頻率

2.5GHz ~ 2.7GHz

增益

16.5dB

電壓-測試

28V

額定電流(安培)

-

噪聲系數

-

當前-測試

430mA

功率-輸出

3W

電壓-額定

65V

包裝/箱

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供應商設備包裝

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