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CLH02(TE16R,Q)

CLH02(TE16R,Q)

僅供參考

型號 CLH02(TE16R,Q)
PNEDA編號 CLH02-TE16R-Q
描述 DIODE GEN PURP 300V 3A L-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,986
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CLH02(TE16R資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CLH02(TE16R,Q)
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CLH02(TE16R, CLH02(TE16R數據表 (總頁數: 5, 大小: 189.13 KB)
PDFCLH02(TE16R數據表 封面
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CLH02(TE16R規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)300V
電流-平均整流(Io)3A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.3V @ 3A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 300V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱L-FLAT™
供應商設備包裝L-FLAT™ (4x5.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.35V @ 220A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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30V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

370mV @ 10mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7µA @ 10V

電容@ Vr,F

7pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 600V

電容@ Vr,F

730pF @ 1V, 1MHz

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

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