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CLH05,LMBJQ(O

CLH05,LMBJQ(O

僅供參考

型號 CLH05,LMBJQ(O
PNEDA編號 CLH05-LMBJQ-O
描述 DIODE GEN PURP 200V 5A L-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CLH05資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CLH05,LMBJQ(O
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CLH05, CLH05數據表 (總頁數: 5, 大小: 213.42 KB)
PDFCLH05數據表 封面
CLH05數據表 頁面 2 CLH05數據表 頁面 3 CLH05數據表 頁面 4 CLH05數據表 頁面 5

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CLH05規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)5A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果0.98V @ 5A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱L-FLAT™
供應商設備包裝L-FLAT™ (4x5.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.15V @ 3000A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

22µs

當前-反向泄漏@ Vr

200mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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DO-200AD

供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.4V @ 36A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 1600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

60V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

750mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 60V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

12ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 30V

電容@ Vr,F

175pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

570mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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