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CMF02(TE12L,Q,M)

CMF02(TE12L,Q,M)

僅供參考

型號 CMF02(TE12L,Q,M)
PNEDA編號 CMF02-TE12L-Q-M
描述 DIODE GEN PURP 600V 1A M-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 4,572
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 4 - 十一月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMF02(TE12L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMF02(TE12L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CMF02(TE12L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr50µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-128
供應商設備包裝M-FLAT (2.4x3.8)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

80µA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOD-128

供應商設備包裝

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

400V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.41V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

160ns

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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GeneSiC Semiconductor

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 10A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

250µA @ 1200V

電容@ Vr,F

520pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

30V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

420mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 30V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 1000V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-201AD

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