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CMKT5089M10 TR

CMKT5089M10 TR

僅供參考

型號 CMKT5089M10 TR
PNEDA編號 CMKT5089M10-TR
描述 TRANS 2NPN 25V 0.05A SOT363
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,724
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMKT5089M10 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMKT5089M10 TR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列

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CMKT5089M10 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)50mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)25V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 1mA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)50nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce400 @ 100µA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡50MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SOT-363

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 2mA, 10V

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15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

300mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 4mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 10mA, 10V

功率-最大

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