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CMLDM7003T TR

CMLDM7003T TR

僅供參考

型號 CMLDM7003T TR
PNEDA編號 CMLDM7003T-TR
描述 MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT563
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMLDM7003T TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMLDM7003T TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
CMLDM7003T TR, CMLDM7003T TR數據表 (總頁數: 4, 大小: 771.92 KB)
PDFCMLDM7003T TR數據表 封面
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CMLDM7003T TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)50V
電流-25°C時的連續漏極(Id)280mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.76nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds50pF @ 25V
功率-最大350mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝SOT-563

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4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

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Surface Mount

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.5nC @ 4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 10V

功率-最大

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

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3.5A, 2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

190pF @ 15V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A, 30A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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