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CMLDM8120G TR

CMLDM8120G TR

僅供參考

型號 CMLDM8120G TR
PNEDA編號 CMLDM8120G-TR
描述 MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 4,950
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMLDM8120G TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMLDM8120G TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CMLDM8120G TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)860mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.56nC @ 4.5V
Vgs(最大)8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 16V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-563
包裝/箱SOT-563, SOT-666

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

650pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

45V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

155mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

550pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

15W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Ta), 287A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

120nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

74W (Tc)

工作溫度

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0.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

188nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tj)

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