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CMPDM303NH BK

CMPDM303NH BK

僅供參考

型號 CMPDM303NH BK
PNEDA編號 CMPDM303NH-BK
描述 MOSFET N-CH 30V SOT-23F
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPDM303NH BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPDM303NH BK
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
CMPDM303NH BK, CMPDM303NH BK數據表 (總頁數: 5, 大小: 492.61 KB)
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CMPDM303NH BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs(最大)12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds590pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23F
包裝/箱SOT-23-3 Flat Leads

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

90W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12.1A (Ta), 54.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.9mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1179pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 35.7W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1289pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.43W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

43A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1150pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

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