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CMPT5551E BK

CMPT5551E BK

僅供參考

型號 CMPT5551E BK
PNEDA編號 CMPT5551E-BK
描述 TRANS PNP
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMPT5551E BK資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMPT5551E BK
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CMPT5551E BK規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)600mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)220V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic100mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)50nA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 10mA, 5V
功率-最大350mW
頻率-過渡300MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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80 @ 10mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

140 @ 100mA, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

120MHz

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150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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400mV @ 5mA, 50mA

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200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 1V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

250MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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