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CMRDM3575 TR

CMRDM3575 TR

僅供參考

型號 CMRDM3575 TR
PNEDA編號 CMRDM3575-TR
描述 MOSFET N/P-CH 20V SOT963
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,604
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CMRDM3575 TR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CMRDM3575 TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
CMRDM3575 TR, CMRDM3575 TR數據表 (總頁數: 3, 大小: 498.26 KB)
PDFCMRDM3575 TR數據表 封面
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CMRDM3575 TR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)160mA, 140mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.46nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9pF @ 15V
功率-最大125mW
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-963
供應商設備包裝SOT-963

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7000pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.8A, 8.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

21.8mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 15V

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 16V

功率-最大

1.42W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

305mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

30pF @ 25V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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