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CP127-2N6301-CT

CP127-2N6301-CT

僅供參考

型號 CP127-2N6301-CT
PNEDA編號 CP127-2N6301-CT
描述 TRANS NPN DARL 80V 8A CHIP 1=200
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,574
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP127-2N6301-CT資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP127-2N6301-CT
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CP127-2N6301-CT規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)8A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)80V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 80mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)500µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce750 @ 4A, 3V
功率-最大-
頻率-過渡4MHz
工作溫度-65°C ~ 200°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

370mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 1A, 2V

功率-最大

1W

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

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100 @ 10mA, 1V

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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