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CP219-2N5339-CM

CP219-2N5339-CM

僅供參考

型號 CP219-2N5339-CM
PNEDA編號 CP219-2N5339-CM
描述 HIGH CURRENT TRANSISTOR
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 8,118
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP219-2N5339-CM資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP219-2N5339-CM
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CP219-2N5339-CM, CP219-2N5339-CM數據表 (總頁數: 6, 大小: 856.74 KB)
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CP219-2N5339-CM規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)100V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.2V @ 500mA, 5A
當前-集電極截止(最大值)100µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 2A, 2V
功率-最大6W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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1.3V @ 500µA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 150mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

10000 @ 100mA, 5V

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當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

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50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 30mA, 300mA

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 150mA, 10V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

20V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

700 @ 500mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

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工作溫度

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