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CP647-MJ11015-WR

CP647-MJ11015-WR

僅供參考

型號 CP647-MJ11015-WR
PNEDA編號 CP647-MJ11015-WR
描述 TRANS PNP DARL 30A 120V DIE
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CP647-MJ11015-WR資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CP647-MJ11015-WR
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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CP647-MJ11015-WR規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
晶體管類型PNP - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)120V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic4V @ 300mA, 30A
當前-集電極截止(最大值)1mA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 30A, 5V
功率-最大-
頻率-過渡-
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die

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PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

25V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

380 @ 2mA, 5V

功率-最大

500mW

頻率-過渡

130MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

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晶體管類型

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 2mA, 20mA

當前-集電極截止(最大值)

250nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

25 @ 30mA, 10V

功率-最大

200mW

頻率-過渡

50MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

15V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

850mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

500mW

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工作溫度

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