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CPD69-CMR1-06M-CT

CPD69-CMR1-06M-CT

僅供參考

型號 CPD69-CMR1-06M-CT
PNEDA編號 CPD69-CMR1-06M-CT
描述 DIODE GP GPP 1A CHIP FORM 1=400
制造商 Central Semiconductor Corp
單價 請求報價
庫存 2,844
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPD69-CMR1-06M-CT資源

品牌 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPD69-CMR1-06M-CT
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CPD69-CMR1-06M-CT規格

制造商Central Semiconductor Corp
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die
工作溫度-結點-65°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

3V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 3500V

電容@ Vr,F

-

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

2µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 4000V

電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1.5µs

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

12pF @ 4V, 1MHz

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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50ns

當前-反向泄漏@ Vr

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