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CPH3223-TL-E

CPH3223-TL-E

僅供參考

型號 CPH3223-TL-E
PNEDA編號 CPH3223-TL-E
描述 TRANS NPN 50V 3A CPH3
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 23,532
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH3223-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH3223-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
CPH3223-TL-E, CPH3223-TL-E數據表 (總頁數: 7, 大小: 645.68 KB)
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CPH3223-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic240mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)1µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce200 @ 100mA, 2V
功率-最大900mW
頻率-過渡380MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-96
供應商設備包裝3-CPH

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

125 @ 2mA, 5V

功率-最大

150mW

頻率-過渡

100MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

1µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1A, 1V

功率-最大

2W

頻率-過渡

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工作溫度

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

175V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

5V @ 125mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 500mA, 10V

功率-最大

35W

頻率-過渡

10MHz

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Through Hole

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

300mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

150V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

30V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

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