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CPH6442-TL-W

CPH6442-TL-W

僅供參考

型號 CPH6442-TL-W
PNEDA編號 CPH6442-TL-W
描述 MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 2,736
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPH6442-TL-W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPH6442-TL-W
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
CPH6442-TL-W, CPH6442-TL-W數據表 (總頁數: 5, 大小: 357.71 KB)
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CPH6442-TL-W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs43mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.6V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1040pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Ta)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-CPH
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

61A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.9mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3180pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

240V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

350mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 350mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 108µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

95pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PG-SOT223-4

包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

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