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CPV364M4U

CPV364M4U CPV364M4U

僅供參考

型號 CPV364M4U
PNEDA編號 CPV364M4U
描述 IGBT SIP MODULE 600V 10A IMS-2
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CPV364M4U資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CPV364M4U
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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CPV364M4U規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
功率-最大63W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.84V @ 15V, 20A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.1nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱19-SIP (13 Leads), IMS-2
供應商設備包裝IMS-2

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Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

790W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

995A

功率-最大

4050W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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配置

Three Level Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

功率-最大

62W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

1550W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

19nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

40W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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