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CRG03(TE85L,Q,M)

CRG03(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRG03(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRG03-TE85L-Q-M
描述 DIODE GEN PURP 400V 1A SFLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 5,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRG03(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRG03(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CRG03(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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35V

電流-平均整流(Io)

15A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

560mV @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.75mA @ 35V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

80A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.17V @ 80A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

TO-247AC

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600V

電流-平均整流(Io)

1.5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1.5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

140ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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3400V

電流-平均整流(Io)

1200A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.3V @ 1500A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

4µs

當前-反向泄漏@ Vr

75mA @ 3400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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500mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 500mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

4pF @ 4V, 1MHz

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