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CRG07(TE85L,Q,M)

CRG07(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRG07(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRG07-TE85L-Q-M
描述 DIODE GEN PURP 400V 700MA S-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRG07(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRG07(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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CRG07(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)400V
電流-平均整流(Io)700mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 700mA
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 400V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)
工作溫度-結點175°C (Max)

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40V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

250mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 100mA

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

500pA @ 75V

電容@ Vr,F

2pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.3V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

3µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.68V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

220ns

當前-反向泄漏@ Vr

145µA @ 1200V

電容@ Vr,F

-

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Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

40V

電流-平均整流(Io)

200mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 200mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

5ns

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 25V

電容@ Vr,F

7pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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