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CRH02(TE85L,Q,M)

CRH02(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRH02(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRH02-TE85L-Q-M
描述 DIODE GEN PURP 200V 500MA S-FLAT
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價 請求報價
庫存 6,012
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 5 - 十一月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRH02(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRH02(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CRH02(TE85L, CRH02(TE85L數據表 (總頁數: 4, 大小: 105.95 KB)
PDFCRH02(TE85L數據表 封面
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CRH02(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)500mA
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果950mV @ 500mA
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)35ns
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)
工作溫度-結點150°C (Max)

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1000V

電流-平均整流(Io)

350A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.26V @ 1100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

1µs

當前-反向泄漏@ Vr

35mA @ 1000V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-200AA, A-PUK

工作溫度-結點

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

550mV @ 700mA

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

15ns

當前-反向泄漏@ Vr

50µA @ 40V

電容@ Vr,F

50pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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-

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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包裝/箱

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 267A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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