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CRZ39(TE85L,Q,M)

CRZ39(TE85L,Q,M)

僅供參考

型號 CRZ39(TE85L,Q,M)
PNEDA編號 CRZ39-TE85L-Q-M
描述 X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
單價
1 ---------- $7.2294
100 ---------- $6.8906
250 ---------- $6.5517
500 ---------- $6.2128
750 ---------- $5.9304
1,000 ---------- $5.6480
庫存 44,255
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CRZ39(TE85L資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CRZ39(TE85L,Q,M)
類別半導體二極管與整流器齊納二極管-單

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CRZ39(TE85L規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
電壓-齊納(額定)(Vz)39V
公差±10%
功率-最大700mW
阻抗(最大值)(閽zt)35 Ohms
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 31.2V
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 200mA
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOD-123F
供應商設備包裝S-FLAT (1.6x3.5)

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-

功率-最大

500mW

阻抗(最大值)(閽zt)

100 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 23V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-65°C ~ 175°C

安裝類型

Through Hole

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公差

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功率-最大

5W

阻抗(最大值)(閽zt)

27 Ohms

當前-反向泄漏@ Vr

500nA @ 36.7V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

工作溫度

-65°C ~ 150°C

安裝類型

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當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 35.8V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 200mA

工作溫度

-55°C ~ 150°C

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阻抗(最大值)(閽zt)

-

當前-反向泄漏@ Vr

50nA @ 27.3V

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 10mA

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