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CS1J-E3/I

CS1J-E3/I

僅供參考

型號 CS1J-E3/I
PNEDA編號 CS1J-E3-I
描述 DIODE GPP 600V 1.0A DO-214AC
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 368,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CS1J-E3/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CS1J-E3/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CS1J-E3/I, CS1J-E3/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 89.91 KB)
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CS1J-E3/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.1V @ 1A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)1.5µs
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 600V
電容@ Vr,F6pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AC, SMA
供應商設備包裝DO-214AC (SMA)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 150A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

10pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-219AB

供應商設備包裝

Sub SMA

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

500µA @ 150V

電容@ Vr,F

210pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.5V @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 800V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

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