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CS3D-E3/H

CS3D-E3/H

僅供參考

型號 CS3D-E3/H
PNEDA編號 CS3D-E3-H
描述 DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 8,154
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CS3D-E3/H資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CS3D-E3/H
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
CS3D-E3/H, CS3D-E3/H數據表 (總頁數: 4, 大小: 77.92 KB)
PDFCS3M-E3/H數據表 封面
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CS3D-E3/H規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)3A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.2V @ 3A
速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)2.8µs
當前-反向泄漏@ Vr10µA @ 200V
電容@ Vr,F26pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝DO-214AB (SMC)
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

530V

電流-平均整流(Io)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

30ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 530V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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工作溫度-結點

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

45V

電流-平均整流(Io)

12A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

500mV @ 12A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 45V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

PowerDI5SP™

工作溫度-結點

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二極管類型

Silicon Carbide Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1200V

電流-平均整流(Io)

5A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 5A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

30µA @ 1200V

電容@ Vr,F

450pF @ 0V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

DPAK

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

75V

電流-平均整流(Io)

150mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

720mV @ 5mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

4ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 75V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOD-123

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40V

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490mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

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