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CSD17306Q5A

CSD17306Q5A

僅供參考

型號 CSD17306Q5A
PNEDA編號 CSD17306Q5A
描述 MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 38,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD17306Q5A資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD17306Q5A
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD17306Q5A規格

制造商
系列NexFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Ta), 100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)3V, 8V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7mOhm @ 22A, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.6V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs15.3nC @ 4.5V
Vgs(最大)+10V, -8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2170pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSONP (5x6)
包裝/箱8-PowerTDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

18A (Ta), 78A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

90nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5650pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 45.5W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

404nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7020pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

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-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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3.3W (Ta), 56W (Tc)

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