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CSD25310Q2T

CSD25310Q2T

僅供參考

型號 CSD25310Q2T
PNEDA編號 CSD25310Q2T
描述 20-V P-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 5,616
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD25310Q2T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD25310Q2T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD25310Q2T規格

制造商
系列NexFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs23.9mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds655pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.9W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝6-WSON (2x2)
包裝/箱6-WDFN Exposed Pad

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

190nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

400W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

91nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

130W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

PowerFlat™ (5x6) Dual Side

包裝/箱

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.5A (Ta), 116A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

88nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4000pF @ 32V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Diodes Incorporated

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-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 250mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

85pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.55V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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