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CSD25404Q3

CSD25404Q3

僅供參考

型號 CSD25404Q3
PNEDA編號 CSD25404Q3
描述 MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 121,308
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD25404Q3資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD25404Q3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD25404Q3規格

制造商
系列NexFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)104A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.15V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14.1nC @ 4.5V
Vgs(最大)±12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2120pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 96W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-VSON (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

58pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

300mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 83A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

74nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

165nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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