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CSD25484F4T

CSD25484F4T

僅供參考

型號 CSD25484F4T
PNEDA編號 CSD25484F4T
描述 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
制造商 Texas Instruments
單價 請求報價
庫存 830,982
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

CSD25484F4T資源

品牌 Texas Instruments
ECAD Module ECAD
制造商零件編號CSD25484F4T
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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CSD25484F4T規格

制造商
系列FemtoFET™
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)1.8V, 8V
Rds On(Max)@ Id,Vgs94mOhm @ 500mA, 8V
Vgs(th)(最大)@ ID1.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs1.42nC @ 4.5V
Vgs(最大)-12V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds230pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)500mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝3-PICOSTAR
包裝/箱3-XFDFN

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20.73A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.7nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1137pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60.4W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.7mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 3.65A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.8A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 12.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2775pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 69W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

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包裝/箱

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